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SiC MOSFET_SCT2450KE

基于SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一體型) 其特征是高耐壓、低導通電阻、高速開關。

SiC小知識 SiC半導體器件特征解說SiC功率器件的應用手冊

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用于車載設備。
型號 | SCT2450KEC
Status | 供應中
封裝 | TO-247
包裝數量 | 360
最小獨立包裝數量 | 30
包裝形態 | Tube
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

450.0

Drain Current[A]

10.0

Total Power Dissipation[W]

85

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特點:

? Low on-resistance
? Fast switching speed
? Fast reverse recovery
? Easy to parallel
? Simple to drive
? Pb-free lead plating ; RoHS compliant