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什么是IGBT?IGBT(絕緣柵雙極晶體管)

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什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?

IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。
IGBT被歸類為功率半導體元器件晶體管領域。

功率半導體元器件的特點

除了IGBT外,功率半導體元器件(晶體管領域)的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導體開關。
根據其分別可支持的開關速度,BIPOLAR適用于中速開關,MOSFET則適用于高頻領域。
IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件,通過這兩者的復合化,既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件,同時也是兼顧低飽和電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的晶體管。
盡管其具有較快的開關特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點。

【功率元器件的基本結構與特點】
  MOSFET BIPOLAR IGBT
基本結構 MOSFET BIPOLAR IGBT
控制 柵極電壓 基極電流 柵極電壓
容許電流 ?
開關 ?
導通電阻 ?
MOSFET
是指半導體元件的結構為Metal(金屬)- Oxide(半導體氧化物)- Semiconductor(半導體)的三層結構的Field-Effect Transistor(場效應晶體管)。
BIPOLAR
是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。

IGBT至產品詳細網頁

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